Номер детали производителя : | 1N4446 TR | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Central Semiconductor | Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N4446 TR(1).pdf1N4446 TR(2).pdf1N4446 TR(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N4446 TR |
---|---|
производитель | Central Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N4446 TR(1).pdf1N4446 TR(2).pdf1N4446 TR(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 20 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 4 ns |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 nA @ 20 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 150mA |
Емкостной @ В.Р., F | 4pF @ 0V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
DIODE GEN PURP 100V DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35